近日，中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗室胡偉達研究員、武漢大學(xué)廖蕾教授等研究人員在A(yíng)dvanced Functional Materials上發(fā)表研究文章：“High-SensitivityFloating-Gate Phototransistors Based on WS2 and MoS2” （DOI: 10.1002/adfm.201601346）。該文章論述了研究人員在浮柵結構二維材料光電探測器研究方面取得的進(jìn)展。嘉興科民電子設備有限公司研發(fā)的KEMICRO-TALD200A型機器在該器件中完成了隧穿和阻隔氧化物的工作，成功助力該光電探測器的研發(fā)工作。

注：此圖為文章中嘉興科民電子KEMICRO-TALD200A型機器設備

注：上圖摘自文章“High-SensitivityFloating-Gate Phototransistors Based on WS2 and MoS2” （DOI: 10.1002/adfm.201601346）

注：上圖為嘉興科民電子為光電器件研究領(lǐng)域研發(fā)的“原位監測等離子增強原子層沉積系統”

　　2004年石墨烯被發(fā)現以來(lái)，二維材料吸引了材料，電子，能源等眾多領(lǐng)域研究者的關(guān)注。2010年開(kāi)始被廣泛關(guān)注的過(guò)渡金屬硫族化合物是具有合適帶隙的半導體型二維材料，在電子與光電器件應用等方面展現出巨大潛力，為后摩爾時(shí)代集成化電子器件的研究開(kāi)辟了新的方向。二硫化鉬及二硫化鎢等具有代表性的過(guò)渡金屬硫化物二維材料具的半導體帶隙與硅、砷化鎵等材料接近，并且帶隙寬度隨薄膜厚度變化明顯，具有成為新型光電探測器的潛力。
　　胡偉達等研究人員，將傳統浮柵存儲器結構引與光電探測器進(jìn)行完美結合，利用浮柵能夠捕獲和釋放載流子的特性，引入一種垂直的“局域電場(chǎng)”，該局域電場(chǎng)能夠完全耗盡背景載流子，克服了之前存在的界面缺陷，高濃度背景載流子等問(wèn)題。通過(guò)這一浮柵結構提高了光電器件在弱光下的探測能力，同時(shí)具有優(yōu)異的低功耗特性。該浮柵結構的探測器電流響應率可達1090A/W，探測率達3.5×1011Jones。這一成果為基于二維材料的光電子器件提供了新方法與新思路。

注：上圖為文章內的光電探測器的具有很低的背景載流子強度

　　嘉興科民電子祝賀中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗室胡偉達研究員、武漢大學(xué)廖蕾教授及其團隊成員在二維材料光電探測器方面取得的積極進(jìn)展。同時(shí)希望能夠在相關(guān)領(lǐng)域繼續深度合作，取得進(jìn)一步成果。